学术报告（讲座）内容

4H-碳化硅（4H-SiC）作为一种宽禁带半导体，因其优异的材料特性，作为传统硅材料在金属氧化物半导体（MOS）器件中的替代品引起了广泛关注。4H-SiC具有3.26 eV的大能带隙、约3 MV/cm的高临界击穿电场以及约4.9 W/cmK的出色热导率，这使得开发高功率和高能效的MOS器件成为可能。此外，4H-SiC还具有实用优势，包括与成熟的硅制造工艺兼容，以及能够形成高质量的二氧化硅（SiO₂）钝化层。这些优势加速了基于4H-SiC的MOS器件的开发和商业化进程。

然而，根据高斯定律，4H-SiC与SiO₂界面处的电场分布受其介电常数的影响。4H-SiC的介电常数约为9.7，显著高于介电常数值约为3.9的SiO₂。因此，SiO₂钝化层内的电场强度变得比4H-SiC衬底内的电场强度大约2.5倍。这导致器件的击穿性能受到SiO₂层较低介电强度的限制，而非4H-SiC衬底的固有特性。为了克服这一限制，研究人员开始探索具有高介电常数的替代钝化材料。在这些材料中，氧化铥已崭露头角，成为用于4H-SiC MOS器件下一代钝化层的有前途的候选材料。

报告人姓名

Quah Hock Jin

报告人所在单位

马来西亚理科大学

报告人职称

副教授

学术报告时间

2026年3月30日15：50-16：50

学术报告地点

湖南工学院电信楼3312报告厅

主讲嘉宾介绍

简介：Quah Hock Jin，马来西亚理科大学副教授，博士和硕士研究生导师。Quah Hock Jin 博士自2018年12月起在马来西亚理科大学纳米光电子研究与技术研究所（INOR) 担任高级讲师，2025年5月晋升副教授。此前，他曾担任工程、科学与技术合作研究中心（CREST）的MOCVD 工程师，负责管控马来西亚理科大学纳米光电子研究与技术研究所（INOR）内用于国家 “GaN on GaN” 项目的 MOCVD 系统。他于2008 年获得马来西亚理科大学材料与矿物资源工程学院（SMMRE）材料工程专业工学荣誉学士学位（BEng (Hons)）；分别在2010 年与2014 年于该院获得电子材料专业理学硕士（MSc）与博士（PhD）学位，硕士期间获 “马来西亚理科大学奖学金” 资助，博士期间获 “2011 年度马来西亚理科大学校长奖” 资助。其研究方向包括：薄膜技术开发、高介电常数薄膜材料及宽禁带半导体器件性能优化，相关技术可应用于电力电子、固态照明与气体传感器等领域。多年来，他长期从事二元、三元系钝化层薄膜材料生长研究，应用于 GaN、SiC、Si、Ge 基金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）电容器。近期研究方向拓展至低成本 GaN 基化合物半导体生长与改性，重点研究其光学性能与气敏特性。他在研发领域的成果包括：发表67 篇国际顶级同行评审论文，H 指数18；获马来西亚知识产权局（MyIPO）授权专利1 项。