技术参数：

1. 成像分辨率：TEM线分辨率 0.10 nm，STEM分辨率 0.16 nm，信息分辨率约 0.12 nm，满足纳米级微观结构表征需求。

2. 电子枪与加速电压：配备高亮度肖特基场发射枪(总束流 >150 nA)，加速电压 20~200 kV 连续可调，兼顾高分辨观察与低电压对比度成像。

3. 能谱分析系统：采用双 SDD 无窗设计(shutter-protected )，能量分辨率 ≤136 eV(Mn-Kα)，EDS 净立体角 0.45 sr，支持像素驻留低至 10 μs 的快速面分布分析。

4.样品台和多模式探测能力：支持单倾/双倾及原位、三维重构样品杆；STEM 模式下配置 HAADF 及 8 分段 BF/ADF 探头，支持多信号同时采集。

功能特色：

1.高效多信号采集与精准成分分析：STEM 模式下可同时采集 HAADF、BF、ADF 等多路信号，提升成像通量与对比度；配合双 SDD 无窗 Super-X 能谱系统，实现快速、定量的元素面分布分析。

2.自动化操作与多用户友好性：搭载 Velox 软件与 Align Genie 自动化功能，可自动完成日常合轴与光路调整，降低多用户环境下的操作门槛，保障实验可重复性。

服务内容：

1. 场发射透射电子显微镜配备了STEM、EDX、4k×4K Ceta CMOS相机等附件，能采集TEM明场、暗场像和高分辨像，可通过形貌分析获得样品(包括高分子、金属、陶瓷、复合材料等)形貌、粒径、分散性等相关信息。能进行选区电子衍射和汇聚束衍射，观察样品结构并进行纳米尺度的微分析。能进行EDX能谱分析和高分辨STEM原子序数像的分析。

制样要求：

1.厚度与尺寸：粉末颗粒粒径通常需小于1μm，块体/薄膜样品经离子减薄或FIB处理后，薄区厚度须降至100nm 以下(高分辨观察建议50nm 以下)，样品直径一般不超过3mm。

2.磁性限制：样品无磁性。不接受含 Fe、Co、Ni、Mn 等铁磁性元素的样品，强磁样品严禁上机 。

3.载网选择：常规形貌用普通碳膜铜网；高分辨观察建议超薄碳膜或微栅。