技术参数：

1. 电子枪：超高亮度冷场发射电子枪，场发射灯丝使用寿命保证5年；2. 二次电子分辨率：0.6 nm @ 15 kV（工作距离4 mm），0.7 nm @ 1 kV（工作距离1.5 mm）；3. 放大倍率：底片倍率25×～1,500,000×；4. 加速电压：0.5～30 kV，支持减速模式（着陆电压0.01～20 kV）；5. 电子源：亮度≥1×10⁸ A/(cm²·sr)，能量发散度≤0.3 eV，源直径5 nm；6. 样品台：5轴全电动驱动，X：0～110 mm，Y：0～100 mm，Z：1.5～40 mm，R：360°，T：-5°～+70°；7. 样品尺寸：最大直径Φ150 mm，最大高度35 mm；8. 样品交换：标配6英寸预抽样品交换室，换样抽真空时间≤1.5 min；9. 样品室预留接口：14个；10. 探测器：上探测器（UD）、顶探测器（TD）、下探测器（LD）等多探测器系统，支持二次电子与背散射电子按比例选择接收；11. 自动化：自动电子束对中、自动光阑对中、自动消像散、自动对焦及自动亮度/对比度调整；12. 真空系统：全自动动态抽气控制，电子枪离子泵真空2×10^-7 Pa，样品室2×10^-3 Pa，具备断电、断水保护；13. 能谱仪：电制冷SDD探测器，有效面积≥40 mm²，能量分辨率Mn Kα≤129 eV，元素分析范围B5～Cf98；14. 离子溅射仪：Φ50 mm金属靶，Φ50 mm试样台，附带间距调节辅助台。

功能特色：

采用超高亮度冷场发射电子枪，电子源亮度高、能量发散度小，色差极小，15 kV下二次电子分辨率达0.6 nm，1 kV低着陆电压下达0.7 nm，验收实测分别达0.588 nm和0.632 nm。低加速电压下仍可保持超高分辨成像，荷电效应小、电子束损伤低，特别适合不导电样品及电子束敏感材料（高分子、生物样品、微纳结构等）的原始状态观察。配备多探测器系统，最多可同时显示6路成像信号，支持二次电子与背散射电子按比例混合接收，兼顾表面精细形貌与成分衬度信息；配合减速模式可实现低电压高分辨观察，满足纳米颗粒、镀层/界面、半导体器件等高分辨表征需求。样品台5轴全电动驱动，具备自动对焦、自动消像散等全自动电子光路调整功能；6英寸预抽交换室换样快速（≤1.5 min），保障高通量稳定运行。标配电制冷能谱仪，支持点、线、面微区成分快速分析。设备广泛应用于材料科学、半导体与电子行业、纳米与能源材料、生命科学、地球科学及失效分析等领域。

服务内容：

（1）高分辨二次电子（SE）形貌观察；（2）低电压/减速模式高分辨成像；（3）背散射电子（BSE）成分衬度成像；（4）能谱（EDS）点分析、线扫描及面分布（Mapping）分析；（5）图像尺寸测量与粒度统计；（6）断口分析、镀层/涂层厚度与界面观察、失效分析等。

制样要求：

适用于金属、陶瓷、高分子、复合材料、半导体、纳米材料、电池材料、矿物岩石及生物样品等。（1）样品须干燥、清洁，不含水分、油污及挥发性物质，避免污染真空系统；（2）块状样品最大尺寸不超过Φ150 mm×35 mm，超高分辨观察建议不超过Φ30 mm×10 mm，待观察面朝上固定、表面平整；（3）导电性差的样品须进行喷金或镀碳处理，本室配有离子溅射仪可提供制样服务；（4）粉末样品须均匀分散并固定于导电胶上；（5）磁性样品须退磁处理，并提前与管理员沟通确认；（6）不接受易燃、易爆、有毒、腐蚀性及未经干燥固化的挥发性样品。